蘋果也要推出氮化鎵充電器
半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段。 第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體原料;第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;...
氮化鎵(GaN)是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,法國研究機(jī)構(gòu)Yole 預(yù)測(cè),到2023 年氮化鎵射頻器件的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到13 億美元,復(fù)合增速為22.9%。隨著第三代半導(dǎo)體材料的崛起,基于新材料的IGBT 也將站上歷史舞臺(tái)。IGBT 主要應(yīng)用領(lǐng)域之一的新能源汽車也已經(jīng)打開市場(chǎng),未來空間巨大。
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。
半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段。 第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體原料;第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;...